这个问题需要从技术层面入手才能回答清楚、说透本质,讲速度、内部结构只能触及皮毛。固态硬盘的正式名称叫闪存(Flash
Memory),是非易失性存储器的一种,内存条的正式名称叫随机动态存储器(Dynamic Random Access
Memory,缩写为DRAM),属于易失性存储器。
两者虽然都是半导体存储器,但原理却完全不同。内存的基本单元叫DRAM
CELL,都是由一个晶体管(Transistor)和两个电容器(Capacitor)组成,原理结构如下图。
电容器充电时,对应的DRAM
CELL的逻辑状态是“1”,电容器放电之后,对应的DRAM CELL逻辑状态是“0”。简单说,DRAM
CELL单元的数据读写操作就是不停操纵电容充放电。但是,如果没有外部电源为电容持续充电,电容就会失去存储电荷,从而丢掉存储的数据。
DRAM原型件(上图)。下图为DRAM的发明人罗伯特.登纳德,IBM的科学家。
固态硬盘(Flash Memory)的技术原理和DRAM不同,采用的是“浮栅”存储数据,原理图见下。
Flash
Memory是东芝公司的藤尾增冈在1980年发明,属于第五代非易失性存储器。固态硬盘(Flash
Memory)虽然也是通过存储电荷完成数据“写入”,但是由于不是采用电容存储电荷,断电之后并不会马上失去电荷,所以可以长久存储数据。
总之,内存(DRAM)断电后会失去存储的数据,固态硬盘(Flash
Memory)则不会,这是它们最本质的区别。其次,在数据独写速度上,内存远远超过固态硬盘。不过,存储数据的固态硬盘如果长期不用,也容易丢失数据,需要时不时拿出来插入电脑,以免数据丢失。